直接上结论是mosfet 比可控硅发热降低60%，相位控制比mosfet发热降低88.9%，比可控硅发热降低95.5%，需要大致理解为什么发热会降低的骑友继续往下看。
假设充电电流20A，数据计算采用理论值，实际功率管会随着温度等变化，会有一些误差，主要讲解为什么发热量相差这么大。
1. 可控硅整流器（短路式）发热量
可控硅压降一般在1.1V-1.4V，二极管压降0.7v
发热功耗=（1.1V+0.7V）*20A=36W
Ps.国内基本上都是用220封装的可控硅，因为再大的尺寸比如TO-3P封装一般铝壳是放不下的，而要做40A的整流器的话，可控硅要进口的，价格是普通的153可控硅（16A）贵6-8倍，一般工厂肯定不会采用的，一般工厂可控硅用到20A算还可以了。
2. MOS+肖特基二极管发热量
我们用的肖特基一般压降在0.6-0.7V，mosfet内阻一般4毫欧-7毫欧
发热功耗=0.6V*20A+0.006Ω*20A*20A=14.4w，比硅整流降低了60%的发热量。所以一般用MOS的整流器比可控硅温度低很多（短路式）。
Ps.其他很多工厂是用硅粒二极管，恢复慢，发热会更大
3. 相位控制发热量
我们采用的MOS 一般是低内阻3.5mΩ到4mΩ，
发热功率会是0.004Ω*20A*20A*2=1.6w，比mosfet整流器降低了88.9%发热量，比可控硅整流器降低了95.5%，基本上高负载下，外壳是不会烫手的，mosfet长时间还是会略烫手，可控硅的基本不能碰，因为温度会100以上。
小结：
一些骑友会喜欢加一些射灯等负载上去，有时候发电量会不够用，会想增加磁电机的发电量，其实也可以改用相位控制或者mosfet的整流器，因为像原装以前挺多是用可控硅做的话，发热量36w的情况下，那么等于磁电机输出功率比较多的部分被消耗在发热上，导致电源效率低下，带不动外面的负载。而改用相位控制的话，只有1.6w浪费在发热上，可以输出更多的功率给电瓶，大灯等负载。